Наимен.	тип	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), мА	Pкmax(т), Вт	h21э	Iкбо, мкА	fгр., МГц	Uкэн, В
КТ829А	n-p-n	100	100	8000 (12000)	(60)	>750	<200	>4	<2
КТ829Б		80	80	8000 (12000)	(60)	>750	<200	>4	<2
КТ829В		60	60	8000 (12000)	(60)	>750	<200	>4	<2
КТ829Г		45	45	8000 (12000)	(60)	>750	<200	>4	<2

 

Наимен.	тип	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), мА	Pкmax(т), Вт	h21э	Iкбо, мкА	fгр., МГц	Uкэн, В
КТ853А	p-n-p	100	100	8000 (12000)	(60)	>750	<500	>7	<2
КТ853Б		80	80	8000 (12000)	(60)	>750	<500	>7	<2
КТ853В		60	60	8000 (12000)	(60)	>750	<500	>7	<2
КТ853Г		45	45	8000 (12000)	(60)	>750	<500	>7	<2

 

 

Uкбо	- Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои	- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо	- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои	- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax	- Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и	- Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax	- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т	- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э	- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо	- Обратный ток коллектора
fгр	- граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн	- напряжение насыщения коллектор-эмиттер